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特羅半導(dǎo)體:成立于2011年1月，是射頻（RF）和電源管理應(yīng)用硅上氮化鎵（GaN-on-Si）半導(dǎo)體技術(shù)的先驅(qū)。先進的專有技術(shù)和設(shè)備以高昂的價格顯著降低了系統(tǒng)解決方案的復(fù)雜性、尺寸、重量和功耗，與Silicon解決方案相比，功率轉(zhuǎn)換性能顯著提高。特羅半導(dǎo)體是一家無晶圓廠半導(dǎo)體公司總部位于美國芝加哥，在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設(shè)有設(shè)計中心。特羅半導(dǎo)體的研發(fā)團隊致力于開發(fā)利用寬帶隙技術(shù)的顛覆性解決方案，幫助客戶解決射頻和電源設(shè)計挑戰(zhàn)，并加快從5G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施到消費者、汽車、國防和安全等廣泛應(yīng)用的上市時間。特羅半導(dǎo)體與領(lǐng)先的半導(dǎo)體鑄造廠和組裝廠合作，提供優(yōu)質(zhì)和久經(jīng)考驗的產(chǎn)品。主要產(chǎn)品：功率放大器；射頻開關(guān)；GaN晶體管低噪放大器線性驅(qū)動器；增益模塊；GaN功率晶體管。型號：TS8021N；TS8423K1；TS8728N；TS8729N；TS86436P。